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    其實,你并不了解小型濺射儀

    發布時間:2022-04-26瀏覽:450次

      小型濺射儀的工作原理是指電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞,使其電離產生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產生的二次電子會受到電場和磁場作用,產生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移,簡稱E×B漂移,其運動軌跡近似一條擺線。
     
      若為環形磁場,則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,它們的運動路徑不僅很長,而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內,并且在該區域中電離出大量的Ar來轟擊靶材,從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠離靶表面,并在電場E的作用下沉積在基片上。由于該電子的能量很低,傳遞給基片的能量很小,致使基片溫升較低。
     
      小型濺射儀包括:氣路、真空系統、循環水冷卻系統、控制系統。其中:
     
      (1)氣路系統:與PECVD系統類似,磁控濺射系統應包括一套完整的氣路系統。但是,與PECVD系統不同的是,PECVD系統中,氣路中為反應氣體的通道。而磁控濺射系統氣路中一般為Ar、N2等氣體。這些氣體并不參與成膜,而是通過發生輝光放電現象將靶材原子轟擊下來,使靶材原子獲得能量沉積到襯底上成膜。
     
      (2)真空系統:與PECVD系統類似,磁控濺射沉積薄膜前需要將真空腔室抽至高真空。因此,其真空系統也包括機械泵、分子泵這一高真空系統。
     
      (3)循環水冷卻系統:工作過程中,一些易發熱部件(如分子泵)需要使用循環水帶走熱量進行冷卻,以防止部件損壞。
     
      (4)控制系統:綜合控制PECVD系統各部分協調運轉完成薄膜沉積,一般集成與控制柜。

     

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